lunes, 20 de junio de 2011

Tipos de memorias ram: dram y sdram, y sus variedades como dimm ddr ddr2 y ddr3

La memoria Ram (Random Access Memory), es una memoria de acceso aleatorio, esto significa que se puede elegir el dato a ejecutar, también es de lectura y escritura ya que el microprocesador puede leer o escribir en ella y es una memoria volátil porque, al faltarle tensión de alimentación pierde los datos que estaban grabados en sus chips. La RAM se divide en DRAM y SRAM.

Aclaremos que son denominadas como memoria principal porque en ella se encuentran cargados o almacenados, el sistema operativo, los programas que se van a ejecutar, al igual que los datos que se van a procesar y permanecen allí hasta que la computadora se apague.  La carga de la memoria RAM es realizada por el  microprocesador.

DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Este tipo de módulos de memoria, utiliza chips de memoria que trabajan basados en el principio del  capacitor para almacenar los datos (bits). Como un capacitor pierde su carga enseguida, (es decir que pasa de un estado de tensión (1) a  uno de no-tensión (0), hace suponer que un valor escrito en una memoria con estas características desaparece pasado un breve lapso de tiempo.
Para que esto no suceda, es necesario refrescar constantemente la carga eléctrica de los capacitores, este método es conocido como Refresh o refresco de datos. Lo que significa que para mantener la información existente en estos chips, se debe regrabar la información contenida constantemente.
Esta operación  es ejecutada automáticamente mediante un chip que recibe el nombre de controlador de memoria y que se encuentra ubicado en la placa madre.
Mientras el sistema se encuentra haciendo el refresco de la memoria, el microprocesador no tiene acceso a los datos y debe esperar a que termine la operación. Por ello, este tipo de memorias es más lenta que las RAM estáticas pero consumen menos energía y tiene un menor costo de fabricación.

ATENCIÓN: Los capacitores consisten básicamente en dos placas metálicas
separadas por un material aislante (llamado dieléctrico) su función es la de
almacenar cargas eléctricas.

Tiempo de acceso

El tiempo de acceso, especifica la velocidad a la que está fabricado el módulo de memoria,
ésta se determina en nanosegundos (Ns.). Estos valores suelen aparecer en cada chip que conforman el modulo mediante uno o dos números antecedidos de un guión (-). Los Ns. Representan al tiempo que transcurrirá desde que el procesador le solicita un dato a la memoria, hasta que ella lo presenta en el bus.

Tipos de Dram



Modulos dimm sdram

SDRAM: Synchronous Dynamic Random Access Memory. Memoria de acceso aleatorio dinámico y síncrono. Esta memoria introdujo el concepto de acceso a la misma velocidad interna del procesador. Por ejemplo, si su ordenador usa un bus de 133MHz la memoria tendrá una velocidad de acceso de también 133MHz, con lo cual se mejoró notablemente el rendimiento de la memoria de la PC.
Existen cuatro especificaciones principales para el tipo de tecnología SDRAM y cabe aclarar que los módulos de memorias DIMM SDRAM envían o reciben un dato o bit por ciclo de reloj.


 Estos módulos de memoria se diferencian de los módulos SDRAM convencionales por su capacidad de activar la salida de datos no solo al comienzo del ciclo de reloj del procesador sino también a su fin. Esto aumenta por 2 la capacidad de envío de datos al sistema, DDR (Double Data Rate).
Existen diferentes tipos de DDR.



Rimm rambus o rdram

Direct Rambus (Rambus directo) es una arquitectura y estándar de interfaz de DRAM que presenta un reto a los sistemas tradicionales de memoria principal. Se transfieren datos a velocidades hasta 800MHz sobre un bus estrecho de 16 bits llamado canal Direct Rambus.
Esta alta velocidad de reloj es posible debido a una función llamada «de doble reloj», que permite que las operaciones ocurran tanto en los limites de elevación como en los limites de caída del ciclo de reloj. Asimismo, cada dispositivo de memoria en un módulo RDRAM proporciona hasta 1.6 gigabytes por segundo de ancho de banda, el doble de ancho de banda disponible con el SDRAM de 100MHz. Hay tres tipos de velocidad disponibles: 600, 700 y 800 MHz la industria los llama PC600, PC700 Y PC800 respectivamente.


Ranuras para módulos de memoria

Son los conectores de la memoria principal, que se encuentran en la placa madre.
Antiguamente, los chips de RAM se colocaban uno a uno sobre la placa madre, lo cual no era una buena idea debido al número de chips que podían ser necesarios, por ello se agruparon varios chips de memoria soldados a una plaqueta, dando lugar a lo que se conoce como módulo de memoria.
Un banco de memoria esta formado por  un conjunto de módulos de memoria DRAM que están conectados en la placa motherboard. La suma total de bits que entrega un banco es equivalente  al ancho del bus de datos del procesador.
Generalmente, las máquinas antiguas cuentan con  dos bancos, el banco 0 y el banco 1.
Para que el sistema pueda trabajar se debe cumplir con:

* El banco 0 debe estar ocupado por completo con módulos de memoria.

* Todos los módulos de un mismo banco deben ser de la misma capacidad, misma marca y mismo tipo aunque en bancos diferentes se pueden usar módulos de diferentes capacidades y caracteristicas.

* Cuando se quiera agregar memoria se deben completar todas las ranuras del banco 1. Para las 386DX y algunas 486DX que usaban módulos Simm de 30 contactos y ademas poseian un ancho de bus de 32 bits era necesario agrupar cuatro SIMMs de 8 bits C/U para equiparar a los 32 bits del bus de datos.

  Todos los microprocesadores «compatibles de PC» desde el 486 po-seen un bloque de memoria caché interna de primer nivel o L1; esta memora se encuentra integrada en el chip del procesador, es decir, que está encapsulada en el mismo chip. Los procesadores más modernos  incluyen también en su interior un bloque de memoria  cache externa (L 2).




En los modelos de 486 que usaban módulos SIMMs de 72 contactos, con solo tener colocado un módulo de éstos en la ranura adecuada era suficiente para equiparar el ancho del bus de datos del procesador, debido a que los SIMM de 72 contactos manejan 32bits.
A partir de los CPU que manejan  un ancho de  bus de 64 bits,  para equiparar esta cantidad de bits, será necesario colocar dos módulos SIMM de 72 contactos para reunir 64 bits.

Los sistemas actuales que trabajan con 64 bits y el formato de memoria que se utiliza es el
DIMM o DDR- SRAM manejan 64 bits, por lo tanto es necesario colocar un sólo módulo.
(El concepto de banco desaparece).

Funcionamiento de los módulos de memoria RIMM RAMBUS

La transferencia de datos se efectúa por paquetes de 16 o 32 bits.
Algunas placas madres tienen hasta 3 ranuras. Se pueden usar 1, 2 o 3 módulos RIMM. El canal Rambus se extiende desde el controlador a través de cada módulo RIMM usado de una forma contínua hasta que se alcanza la terminación del canal.
 
En el caso de utilizar 1 o 2 módulos RIMM, se debe generar la continuidad dentro del circuito esto se logra mediante el uso de módulos de continuidad llamados C-RIMM (falsos RIMM), que son de bajo costo.

 Circuito rimm

  Las descargas electroestáticas son unas de las causas frecuentes de
daño en los chips que contienen los módulos de memoria.
Estas son el resultado del manejo del módulo sin haber, disipado primero la
electricidad estática del cuerpo o de la ropa.






Existen motherboards que trabajan con un bus dual y utilizan dos RIMM de 16 bits para obtener una transferencia de 32 bits.
En este caso encontrará cuatro ranuras de las cuales obligatoriamente dos deben estar ocupadas por RIMM. En el caso de utilizar solamente dos módulos y no cuatro se deben instalar dos módulos de continuidad (C-RIMM).


Memorias DDR3

DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.
El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de hacer transferencias de datos más rápido, lo que permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.


Se prevé que la tecnología DDR3 puede ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficaz.


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